台积电1nm工艺最新消息 台积电1nm芯片哪里建厂？

　　中国台湾《联合报》称：经多方评比后，台积电最终决定将最先进的 1nm 制程代工厂选址定在嘉义科学园区，总投资额超万亿新台币（备注：当前约 2290 亿元人民币）。

　　对于这一传闻，台积电表示，选择设厂地点有诸多考量因素，台积电以中国台湾地区作为主要基地，不排除任何可能性，也持续与管理局合作评估合适的半导体建厂用地。

　　消息人士透露，台积电 1nm 制程将落脚嘉义科学园区，台积电已向相关管理局提出 100 公顷用地需求，其中 40 公顷将先设立先进封装厂，后续的 60 公顷将作为 1nm 建厂用地。业界估，台积电 1nm 总投资额将逾万亿新台币。

　　在上个月举行的 IEDM 2023 会议上，台积电制定了提供包含 1 万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。

　　为了实现这一目标，该公司重申正在致力于 2nm 级 N2 和 N2P 生产节点，以及 1.4nm 级 A14 和 1nm 级 A10 制造工艺，预计将于 2030 年完成。

　　此外，台积电预计封装技术（CoWoS、InFO、SoIC 等）将不断取得进步，使其能够在 2030 年左右构建封装超过 1 万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案。

　　据此前报道，台积电在会议上还透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。

　　前段时间还有消息称，台积电计划正在新竹科学园区和高雄楠梓园区内新建5 座晶圆厂，其中第一座目前已经破土动工，计划 2025 年 1 月前搬入首部机台；而台积电园区在该园区的第 2 座晶圆厂有望近期动工。